| 시설장비 설명 |
세부과제명:전자기표준 유지향상연구 과제책임자:김규태 과제수행연도:2003 규 격(성능 및 사양) - Substrate Size: For up to 3 inch wafer - Mask Size: 4"x4", 5"x5" - Microscope: M500 single-field microscope with 14" monitor - Exposure Area: 3" diameter(round) - Exposure Light Source: 350W UV lamp (Lifetime: 600 hours) - Exposure Time: 0.01 second ~ 99 hours - Intensity Control Mode: CP(Constant Power) or CH(Constant Intensity) 기계사용 용도설명 본 물품은 반도체 제조 공정 중 반도체 디바이스 또는 전자직접회로 등을 형성하기 위한 장비로써 Photo Resist(감광물질)를 웨이퍼 상에 도포하고 Solvent 등을 이용하여 현상하며 또한 웨이퍼를 가열(heated chuck) 하여 경화 시키는 역할을 하는 Photo Lithography 전용 설비입니다. 응용분야로는 각종 반도체 소자들로서 광소자, 전자소자, Actuator, RF MEMS, LED, 센서, Laser Diode, 잉크젯 헤드, 자이로스코프, Micro Motor 등 아주 다양합니다. |
