| 보유기관명 |
나노종합기술원 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C510 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
Inductive Plasma Source(ICP)를 이용한 Si 식각 장치로서 기존 Si 장치가 1um 미만의 Depth를 식각 할 수 있는데 반하여 본 장치는 Bosch Process라는 특화된 기술을 이용하여 Si Depth 1um ~ 1mm까지를 Dry 방식으로 식각 할 수 있는 장치로서 기본 6"와 8" Wafer의 진행이 가능함.- Wafer를 25매까지 진행 할 수 있는 Cassette Loading Type으로서 ATM Robot과 Vacuum RobotReactor Chamber로 구성 되어 있음.Chamber 외부에는 Plasma를 발생시키기 위한 RF Generator와 Bias Power Control을 위한 RF/LF GeneratorWafer Cooling을 위한 Chillervacuum Control을 위한 Turbo/Dry PumpGas를 공급하기 위한 Gas Box로 구성되어 있는 구조임.
- 진행 가능한 최소 선폭은 1um 이상부터 수 cm이며 Depth는 1um ~ 1mm까지임.식각 진행 시 Etch Rate은 2um~15um 정도로 Si이 식각 될 면적 및 최소 선폭에 따라 달라지게 됨.그리고 Bosch Process라는 특화 된 공정을 이용 시 식각된 측벽에 Scallop이라는 모양이 발생하게 되는데 이는 후속 공정을 진행 시 불량을 유발 할 소지가 크므로 최소화 시키는 것이 바람직함.본 장치에서 제어 할 수 있는 SCallop의 최소 크기는 200A 정도로 최소화 할 수 있음.진행 가능한 최소 선폭은 1um 이상부터 수 cm이며 Depth는 1um ~ 1mm까지임.식각 진행 시 Etch Rate은 2um~15um 정도로 Si이 식각 될 면적 및 최소 선폭에 따라 달라지게 됨.그리고 Bosch Process라는 특화 된 공정을 이용 시 식각된 측벽에 Scallop이라는 모양이 발생하게 되는데 이는 후속 공정을 진행 시 불량을 유발 할 소지가 크므로 최소화 시키는 것이 바람직함.본 장치에서 제어 할 수 있는 SCallop의 최소 크기는 200A 정도로 최소화 할 수 있음. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110126152009.gif |
| 장비위치주소 |
대전 유성구 어은동 대전 유성구 대학로 291 (어은동 53-3) 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 1층 FAB |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2011-01-137114 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0024413 |
| 첨부파일 |
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