플라즈마 시스템
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 아텍시스템 |
모델명 | ICP CVD SYSTEM |
장비사양 | |
취득일자 | 2010-01-13 |
취득금액 |
보유기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C507 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 특징 탄소를 함유하는 gas(CH4 C2H2)를 진공상태의 반응기에 넣어 고온에서 냉각시키면서 Graphene을 생성하는 장치이다. 고온에서 플라즈마를 발생시켜 에너지에 의해 가스가 원자상태로 분해된다.구성및성능 반응기 과전원 차단부 냉각기 Chamber CVD furnance 고온에서 플라즈마를 발생시키면 플라즈마 에너지에 의해서 가스가 원자상태로 분해되며 이는 공정온도를 낮출수 있다.활용분야 기판을 반응기에 넣고 고진공 상태에서 반응가스를 주입한다. 서서히 온도를 올린다음 상온까지 냉각시킨다. 이때 냉각시키는 과정에서 Graphene이 생성된다. 고온에서 플라즈마를 발생시키면 플라즈마 에너지에 의해서 가스가 원자상태로 분해되며 이는 공정온도를 낮출수 있다. |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201310/.thumb/20131010144321803.jpg |
장비위치주소 | 서울특별시 성동구 왕십리로 222 (사근동) 한양대학교 퓨전테크센터(FTC) 5층 502 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2010-01-078358 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0017392 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |