스퍼터
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 러셀 |
모델명 | Endura-5500 |
장비사양 | |
취득일자 | 2005-01-01 |
취득금액 |
보유기관명 | 나노종합기술원 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C506 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 고 에너지 입자가 고순도 타겟물질의 고체 판과 충돌하고 물리적으로 원자를 이동하여 기판에 증착시키는 스퍼터링방법으로 일반적인 DC Magnetron 스퍼터링과 차이점은 캐소드인 타겟과 기판사이에 RF Coil을 장착하여 Plasma 밀도를 증가시키고 기판으로 증착되는 Metal Ion들의 직진성을 높이기위해서 기판에 RF Bias를 사용한다는 점을 들수 있다 - RF Etching - Etch Rate: > 350Å/min Etch Uniformity: 600A at 2.5kw Resistivity : 200A at 4kw Resistivity : 350A Bulk Resistivity : 15Å/Kw/sec Resistivity : 2.8~3.2μΩ-㎝ Reflectivity:>190 at 436nm (λ=365㎚REF=Al Mirror) - 180nm Logic 디바이스용 금속증착 등 - CMOS 일괄공정의 Barrier Metal 및 ARC공정 - Barrier Metal - Al Liner & ARC(Anti reflected coating) Layer |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201405/.thumb/20140512161815412.JPG |
장비위치주소 | 대전 유성구 어은동 대전 유성구 대학로 291 (어은동 53-3) 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 1층 FAB |
NFEC 등록번호 | NFEC-2007-11-047758 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0016999 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |