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장비 및 시설 기본정보
급속열처리장치 I
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Modular Process Technology Co. |
| 모델명 | RTP600S |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2003-05-21 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국광기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 급속 가열 및 냉각 열처리 장비로서 다양한 메탈의 annealing 및 p-GaN의 Mg 활성화를 위한 열처리공정 사용 ㅇ적용가능 wafer size : 10mm×10mm ∼ 6인치 wafer ㅇAmbient Gas : O2 N2 Argon Mixing Gas ㅇMaximum Temperature : ∼ 800℃ ㅇRamping time : ∼ 100℃/sec ㅇType : Hot-wall type ㅇ열처리 능력 : 1wafer/batch ㅇTemperature Monitoring - K-type thermocouple - Pyrometer Precess chamber Chamber material : Quartz or Aluminum process chamber Wafer size : 2 inches to 6inches Heat Soure : tungsten halogen lamp Process temperature : 200 -1250도씨 or 300-1150도씨 Ramp rate : 1- 150도씨 /sec more then Temperature uniformity : less than 2.5% Temperature sensor : Pyrometer or Thermocouple Gas Supply : Two MFCs more then웨이퍼 표면의 급속 열처리 장비로 실리콘웨이퍼 표면에 금속을 증착하고 이를 열처리하면 실리콘과 금속과의 반응으로 인해 실리사이드라는 물질이 생성됨 이것은 C-MOS 공정에서 전극의 저항을 줄여줌 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110124155758.jpg |
| 장비위치주소 | 광주 북구 월출동 971-35 한국광기술원 실험동 1층 메인클린룸 Dry |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-141647 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0023435 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |