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고세장비 플라스마 에칭 장비

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보유기관명	연세대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	특징 DRIE는 다양한 기체 플라즈마를 이용하여 깊고 가파른 홀과 채널을 실리콘 웨이퍼에 만들 수 있는 이방성 에칭 프로세스입니다.성능 가공할 수 있는 최대 에칭 깊이는 400μm이며 에칭 속도는 2μm/min입니다. 또한 선택할 수 있는 에칭에 이용하는 기체의 종류는 C4F8 SF6가 있습니다. 또한 에칭을 통하여 만들 수 있는 격벽의 기울기는 90±2°이며 균일성은 5%이하입니다.활용분야 DRAM 메모리 회로 안에 있는 축전기의 10~20μm 트렌치구조물을 만드는데 활용됩니다. 또한 MEMS기술에서 수십 μm에서부터 0.5mm 범위의 구조물을 만드는데 이용됩니다. 그 외에 플라즈마 에칭을 이용하여 고세장비 실리콘 가공이 가능합니다.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110127120837.jpg
장비위치주소	서울 서대문구 신촌동 연세대학교 0 0 산학협동관 3층 303호
NFEC 등록번호	NFEC-2007-04-020006
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0012096
첨부파일

기업조회