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플라즈마에칭기

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보유기관명	(주)파트론
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	* 원리 및 특징 Plasma를 이용하는 장비에는 크게 화학적인 반응을 이용하는 방식과 물리적인 반응을 이용하는 방식이 있다. HTPC-3000 은 물리적인 반응을 이용하는 plasma cleaning 장비로서 chamber 내부를 진공상태로 만든 후 공정 Gas를 flow 시키고 RF 를 흘려주면 공정 Gas가 이온화하면서 이온화 된 전자가 수정편이나 wafer 표면을 때려주면서 그 충격으로 인하여 수정편 또는 wafer 표면의 불순물을 제거한다 본 장비의 목적은 기판 표면에 묻어있는 유기 또는 무기 불순물을 제거한다. 본 장비는 전도체 박막을 증착하기 이전에 사용되어 진다.* 구성 및 성능 •가스 : Ar / O2 200 sccm (Max. 400 sccm) •MicroWave power : 300 W (Max. 400 W 2.45 GHz) •Chamber pressure : 180 Pa (min 50 Pa)* 사용 예 수정편 cleaning
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201102/.thumb/20110210140216.JPG
장비위치주소	경기도 화성시 석우동 22-6번지 파트론 본사 6층 연구소
NFEC 등록번호	NFEC-2009-12-077588
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0017185
첨부파일

기업조회