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장비 및 시설 기본정보

플라즈마 응용 대기촉매 개질장치

장비 개요

기관명, 장비번호, 제작사, 모델명, 장비사양, 취득일자, 취득금액 순으로 구성된 표입니다.
기관명 ZEUS
장비번호
제작사 아이씨티
모델명 모델명 없음
장비사양
취득일자 2016-09-19
취득금액

보유기관 및 이용정보

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명 한국생산기술연구원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드 C511
표준분류명
시설장비 설명 ○ SCR 촉매의 원천기술에 있어 플라즈마 응용기술은 기존의 합성기술에 비해 고품위, 고기능성의 물질을 생성시킬 수 있어 제품의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 기술로서 추후 필요 원소를 활용한 촉매물질의 지속적 개발을 위함 ○ 도입장비는 직경 500mm에 높이 600mm의 챔버 내에 플라즈마 발생을 위한 전원소스가 위치하고 있으며 장착되는 다양한 소스를 활용하여 가스, 고체상의 금속이온 및 반응가스이온을 활용한 촉매의 합성 및 표면개질이 가능함 ○ 3D형상의 제품 처리 가능 - 도입장비는 진공분위기에서 처리됨에 따라 촉매물질에 오염물의 흡착을 방지하고 합성 제어가 쉬운 장점이 있으며 챔버 상단에 ICP(Inductively Coupled Plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance) 등의 플라즈마 보조발생장치를 부착하여 챔버내 주입되는 반응가스 및 발생이온의 반응성을 극대화 시킬 수 있음 - 설치된 플라즈마 보조발생장치는 3D 복잡형상 제품뿐만 아니라 파이프 형태 제품의 내부 처리가 가능하여 제품의 외부, 내부의 균일한 처리가 가능함 - 세라믹 소재로 구성된 촉매의 제품 처리 시, 부도체인 산화물의 표면에 전하의 집중으로 인한 아크발생으로 제품표면의 손상이 발생하는 문제점을 가지고 있으나 본 도입장비는 아크제어를 위한 스크린 및 바이어스 소스를 이용하여 발생되는 이온을 신속히 제거함으로서 표면손상을 최소화 할 수 있음
장비이미지코드 http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201610/2016101011496643.jpg
장비위치주소 한국생산기술연구원 연구동/실험동
NFEC 등록번호 NFEC-2016-10-212159
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0062317
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, 주제어 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
주제어 (키워드)