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장비 및 시설 기본정보
반도체공정용 급속열처리장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 뉴영시스템 |
| 모델명 | RTA-150H SP1 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2010-02-23 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전기연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C601 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 모든 반도체소자는 외부와의 통전을 위해 금속전극이 필요하다. SiC 반도체 위에 금속전극을 형성하는 과정은 크게 2단계로 나눌 수 있는데 1단계는 금속막을 반도체 위에 증착하는 과정이며 2단계는 열처리 공정을 거쳐 금속막과 SiC 반도체 기판의 반응을 유발함으로써 낮은 저항을 갖는 금속전극을 형성하는 과정이다. 2단계는 크게 두 가지 방법이 있는데 노(furnace)를 사용하는 방법과 급속열처리 장치를 사용하는 방법이 그것이다. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201211/20121119173047.jpg |
| 장비위치주소 | 한국전기연구원 17연구동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2013-02-174859 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0035873 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |