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장비 및 시설 기본정보
전자-이온 이중빔 리소그래피 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Tescan |
| 모델명 | LYRA 3 FEG XMH |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2014-05-13 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 기초과학연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | A206 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 전자-이온 이중빔 리소그래피 장비는 10 nm 급 전자빔 리소그래피 이온빔 리소그래피 레지스트 없는 금속 증착 표면 에칭 그리고 본 장비가 아니면 구현할 수 없는 전자-이온 이중빔 리소그래피 등에 쓰일 수 있다구성 : 전자빔 컬럼 이온빔컬럼 GIS 범용 프로그래밍 가능 리소그래피 시스템 성능 : 10 nm 급 전자빔 리소그래피 가능 10 nm 급 이온빔 리소그래피 가능 수십 nm 급 레지스트 없는 금속 직접 증착 가능 수십 nm 급 레지스트 없는 표면 에칭 가능 전자-이온빔 융합 사용을 통한 이중빔 리소그래피 가능전자빔 리소그래피를 이용하여 수 nm - 수 um 의 미세한 정밀 패턴을 구현할 수 있어 유 무기물 결정을 이용한 전자 소자 제작 을 수월하게 수행할 수 있다. 이온 빔 리소그래피를 이용하여 각종 기판 표면을 식각 할 수 있어 나노 구조물 합성 및 구조물 분석에 유용하게 사용할 수 있다. GIS 장비를 이용하여 유 무기물 결정 위에 바로 금속 증착이 가능하며 이는 복잡한 리소그래피 과정을 줄여줄 뿐 아니라 결정의 손상 없이 전자 소자 제작을 가능하게 해준다. 이외 전자-이온빔 융합 사용을 통해 여러 층을 가진 복잡한 구조의 유 무기물 반도체 제작이 가능하다. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201406/.thumb/20140627104338433.jpg |
| 장비위치주소 | 경북 포항시 남구 효자동 포항공과대학교 제 원자제어저차원전자계연구단 2실험동 3층 312 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2014-06-189539 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0043898 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |