| 보유기관명 |
나노종합기술원 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C601 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
- 할로겐 램프를 이용하여 급속 열처리 - 파이로미터를 이용하는 간접 온도 리딩 방식" 2. 구성 - Main Body Dimension(W*H*D) : 1020mm * 2080mm * 1070mm - Process : N2 O2 Ar - Main Power : 3 Phase AC220V 60Hz 3. 사용예 - Wafer anneal Silicide FormationCMOS Tr 제작 - 상온증착 산화물의 결정화 - 산화막 형성 - 박막의 고온 조직 분석 - 이온 주입 시 dopant 재 분포 방지 및 활성화 - 금속 전극의 ohmic contact-Silicide 형성- Main Body Dimension(W*H*D) : 1020mm * 2080mm * 1070mm - Process : N2 O2 Ar - Main Power : 3 Phase AC220V 60Hz- Wafer anneal Silicide FormationCMOS Tr 제작
- 상온증착 산화물의 결정화 - 산화막 형성 - 박막의 고온 조직 분석 - 이온 주입 시 dopant 재 분포 방지 및 활성화 - 금속 전극의 ohmic contact-Silicide 형성 |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110126154803.gif |
| 장비위치주소 |
대전 유성구 어은동 대전 유성구 대학로 291 (어은동 53-3) 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 1층 FAB |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2011-01-137232 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0024435 |
| 첨부파일 |
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