| 시설장비 설명 |
특징 - 구입할 장비는 Quartz를 포함한 다양한 종류의 레지스트(PMMA, SAL, MR 계열 등)에 나노크기의 패턴을 직접조사 방 식으로 형성할 수 있으며, 다양한 형태의 렌즈(Fresnel lens 등 광학렌즈)를 비롯하여 다양한 형태의 마스크가공, 단전자 트렌지스터 패턴 및 다양한 형태의 나노구조물(nano-structure)을 형성할 수 있는 전자빔 리소그래피장비임. 구성및성능 · Interferometer Positioning resolution : 2nm · Stitching Accuracy < 50nm · Positioning Reproducibility < 50nm · Mix & match accuracy < 2㎛ · Stage Travel : 45mm x 45mm x 20mm (Z) · Mechanical Vibration (Vpp) < 5㎛ · 최대시편 크기 : 4 inch · Positioning resolution < 50nm · Stage Stroke : 4in x 4in · Mechanical Vibration (Vpp) < 5㎛ 활용분야 - Si Wafer pattern 가공 - Quartz wafer pattern 가공 - SEM 측정 |
