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장비 및 시설 기본정보
플라즈마 화학기상 증착장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Hi-dep |
| 모델명 | PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2006-03-17 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 포항테크노파크 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C507 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 특징 -ICP(Inductively Coupled Plasma) System -2.5KW 13.56MHz RF + 600W 400KHz RF -Low Temperature Deposition활용분야 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx) 박막 증착 및 Surface Passivation |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/itep200710/.thumb/1157466643_1.jpg |
| 장비위치주소 | 경상북도 포항시 남구 지곡동 601번지 포항테크노파크 포항테크노파크 제2벤처동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2007-10-017816 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0016903 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |