- HOME
- 홈페이지 이용안내
장비 및 시설 기본정보
VG80 MBE시스템에 사용될 초고진공 챔버
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 우신크라이오백 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2006-07-25 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국과학기술연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C503 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 본 장비는 질소계-MBE시스템이다. 본장비에 암모니아 NH3 가스를 1x10-10 Torr (대기압의 약 10^13 분의 1)의 초고진공에 정확한 량주입한다. 주입중에 고온가열이 가능하여 기판에 가스가 닿았을때 수월하게 N가스로 분해되게 한다. 또한 Ga In Al을 K-cell형태로 공급하여 최종적으로 기판 표면에서 질소계 화합물 반도체가 성장되게 한다. 본 장치는 GaN AlN InN등 질소계 화합물 반도체 제작에 쓰이며 청색. 백색 LED 태양전지 및 고온동작용 GaN HEMT를 제작할때도 사용된다.청색 혹은 백색 LED의 경우 이미 많은 정보가 공개되고 산업적으로 사용되고 있다. 그러나 본 질소계 MBE시스템은 상기의 LED 제작 보다는 GaN 양자선 및 양자점을 이용한 태양 전지의 성장에 응용될 예정이며 고온동작이 가능한 GaN HEMT등의 제작 연구에 사용될 예정이다. 본 N계열 화합물은 IR (InN)에서 UV(AlN)까지의 모든 파장의 흡수가 가능하다.기존의 MOCVD로 GaN AlN등의 단파장 흡수소자의 성장에 문제가 없지만 InN의 경우 저온성장이 필요하다. 이에 MBE를 이용해 성장하는 계획을 세우고 있다. 또한 고온에서 동작하는 GaN HEMT의 경우 MBE 로 성장하는것이 MOCVD로 성장하는것에 비해 계면이 더욱 sharp하게 제작되므로 소자의 동작 특성이 우월하다. 본 장비가 정상 운영되기 위해 KIST실험실에서 보유한 펌프 및 일부 초고진공 부품을 사용하였다. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201110/.thumb/20111021164754.jpg |
| 장비위치주소 | 서울 성북구 월곡2동 과학기술연구원 39-1번지 한국과학기술연구원 청정연구동(L6) 1층 L6108 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-10-149768 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0030178 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |