- HOME
- 홈페이지 이용안내
장비 및 시설 기본정보
실리콘 카바이드용 플라즈마 화학기상 증착장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | (주)티티엘 |
| 모델명 | FabStar |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2014-01-21 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 울산과학기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | SiC 전용 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) System 으로 본 장비는 Process Module 내부에 웨이퍼를 배치하고 반응성 가스 및 무선(13.56 MHz) 주파수 에너지를 공급하여 플라즈마를 발생시켜 건식방식으로 탄화규소 박막을 증착하는 화학기상증착기 입니다.- High Plasma Density High Dep. rate PE-CVD - Wafer Size : 6" Substrate Temperature : 250 ℃ - Process Gas : N2 SF6/O2 pure SiH4/CH4 - Power Supply : 600 W 13.56 MHz RF Generator - Process Guarantee : 1000Å ~ 3um - With in Wafer Uniformity : ±3% - Wafer to Wafer Uniformity : ±3 % - Uniform process gas flow distribution - Robotic arm for wafer handling - RF generator connected to upper electrode through a close coupled automatic matching network- SiC layer deposit - Passivation layer of semiconductor - Inter Metal Dielectric of semiconductor - Inter layer Dielectric of semiconductor |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201404/.thumb/20140410123416672.JPG |
| 장비위치주소 | 울산광역시 울주군 언양읍 유니스트길 50 울산과학기술대학교 자연과학관 1층 101 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2014-04-186840 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0040775 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |