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장비 및 시설 기본정보
게이트리세스 식각장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Plasma Therm |
| 모델명 | VLR RIE |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2006-12-13 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국나노기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 플라즈마란 기체가 상전이(온도나 압력등에 의해 물질의 성질이 변하는 것)현상에 의해 나타나는 현상으로 분자를 이루는 전자와 원자가 분리되어 있는 상태임. RIE(reactive ion etcher)장비란 시료와 반응성을 갖는 기체의 플라즈마를 시료와 접촉하여 플라즈마 내에 존재하는 반응성 이온과 시료와의 화학적 반응 및 이온이 시료의 표면에 가하는 물리적 충격에 의하여 시료 표면의 원자를 식각하는 장비임.RF Generator PM TM LM TMPDry pump Chiller etc ＊wafer size : piece ~ 6" 6" Gate Recess Etching E/R : 200Å/min 8 gas line Low Controllable Etching rate 및 매우 낮은 Bias Voltage를 인가하여 sample의 demage를 최소화함. 6“ 기준의 양산 공정이 가능 하고 Auto Run 이 가능함.1. 화합물 반도체용 식각 공정 - GaAs GaN InP 등 2. 실리콘 반도체용 식각 공정 - Si SiGe SiC 등 3. MEMS/NEMS 식각 공정 4. 전자소자 식각 공정 5. 광소자 식각 공정 6. 바이오소자 식각 공정 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201309/.thumb/201309161322391.jpg |
| 장비위치주소 | 경기도 수원시 영통구 광교로 109 (이의동) 한국나노기술원 한국나노기술원 한국나노기술원 2층 팹동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2009-10-079114 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0017654 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |