전기로
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 뉴영엠테크 |
모델명 | RTA200H-SP1 |
장비사양 | |
취득일자 | 2005-02-21 |
취득금액 |
보유기관명 | 서울대학교 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C601 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 상변태관찰용유도로 Ti, Ni silicide를 위한 RTP 공정 진행 Ti, Ni Silicide 전용장비, 그 외의 금속은 투입을 불허함. 공정진행 전 반드시 Cleaning을 진행하여야 함 공정 Max time : 3minChamber size : 8inch Size ( 4&6inch 공정가능 ) Steady State Temp : 450℃~1100℃ Max Temp : 1250℃ Pyrometer Temperature Reliability :± 2.0℃ Lamp-up rate (Max) : 150℃/sec Lamp-down rate (Max) : 60℃/sec Within-wafer uniformity : ± 2.0℃Ti, Ni Silicide 전용장비, 그 외의 금속은 투입을 불허함. 공정진행 전 반드시 Cleaning을 진행하여야 함 공정 Max time : 3min 공정 전 온도에 대한 Recipe가 있는지 확인하여야 하며 이외의 공정은 담당자와 협의 후 공정가능여부 확인할 것 |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201310/.thumb/20131007233730681.jpeg |
장비위치주소 | 서울 관악구 대학동 서울대학교 산 56-1 서울대학교 104동 (반도체공동연구소) 1층 C1-4 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2006-10-042195 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0006629 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |