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장비 및 시설 기본정보

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장비 개요

기관명, 장비번호, 제작사, 모델명, 장비사양, 취득일자, 취득금액 순으로 구성된 표입니다.
기관명 ZEUS
장비번호
제작사 뉴영엠테크
모델명 RTA200H-SP1
장비사양
취득일자 2005-02-21
취득금액

보유기관 및 이용정보

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명 서울대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드 C601
표준분류명
시설장비 설명 상변태관찰용유도로 Ti, Ni silicide를 위한 RTP 공정 진행
Ti, Ni Silicide 전용장비, 그 외의 금속은 투입을 불허함.
공정진행 전 반드시 Cleaning을 진행하여야 함
공정 Max time : 3minChamber size : 8inch Size ( 4&6inch 공정가능 )
Steady State Temp : 450℃~1100℃
Max Temp : 1250℃
Pyrometer Temperature Reliability :± 2.0℃
Lamp-up rate (Max) : 150℃/sec
Lamp-down rate (Max) : 60℃/sec Within-wafer uniformity : ± 2.0℃Ti, Ni Silicide 전용장비, 그 외의 금속은 투입을 불허함.
공정진행 전 반드시 Cleaning을 진행하여야 함
공정 Max time : 3min
공정 전 온도에 대한 Recipe가 있는지 확인하여야 하며 이외의 공정은 담당자와 협의 후 공정가능여부 확인할 것
장비이미지코드 http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201310/.thumb/20131007233730681.jpeg
장비위치주소 서울 관악구 대학동 서울대학교 산 56-1 서울대학교 104동 (반도체공동연구소) 1층 C1-4
NFEC 등록번호 NFEC-2006-10-042195
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0006629
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, 주제어 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
주제어 (키워드)