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장비 및 시설 기본정보
플라즈마 화학기상증착장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | (주)울텍 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2011-05-31 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전기연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C506 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 모든 반도체소자는 외부와의 통전을 위해 금속전극이 필요하며 이를 형성하는 것이 금속공정이다. 따라서 금속공정에는 절연막이 반드시 필요하며 실리콘 산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막(Si3N4)이 대표적인 절연막이다. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201203/20120327134115.JPG |
| 장비위치주소 | 한국전기연구원 17연구동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-03-161456 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0031916 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |