| 기업공감원스톱서비스

화합물반도체용유도결합플라즈마식각장치

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명	동의대학교 산학협력단
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	- 다양한 전자세라믹스 및 반도체 소자등의 리소그래피를 위한 건식 에칭이 가능하며 SiC GaN AIN 등 화합물 반도체 기판의 CMP 표면 처리도 가능한 장비로 연구개발 및 기업지원을 위한 장비이다.- Material : 화합물 반도체 및 각종 wafer - Size : 4 inch - Thickness : 0.5 ~ 0.8 mm Substrate traveling type : Horizontal moving; Base Pressure - Loadlock chamber : 5×10-3 Torr - Process chamber : 󰀃5×10-7 Torr ◦ Source - Planar type : High density plasma source ◦ Feature - Etching uniformity : 󰀃±5% - Gas feeding : Shower head type - Pressure control : APC unit- 다양한 전자세라믹스 및 반도체 소자의 리소그래피를 위한 건식 에칭을 하는데 사용합니다. - SiC GaN AIN 등 화합물 반도체 기판의 CMP 표면 처리를 하는데 사용합니다.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110127092703.jpg
장비위치주소	부산 부산진구 가야3동 동의대학교 산25 동의대학교 정보공학관 3층 302
NFEC 등록번호	NFEC-2010-12-128484
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0020168
첨부파일

기업조회