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장비 및 시설 기본정보
웨이퍼 절삭기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Disco |
| 모델명 | DAD3350 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2008-03-29 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 서울대학교 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C107 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 특징 ● Spindle - Output : 1.8kW at 60000 min-1 - Rated torque : 0.29N.m - Revolution speed range : 6000~60000min-1 ● X-axis - Cutting range : 260mm - Max. cutting speed : 600mm/s ● Y-axis - Cutting range : 260mm - Index step : 0.0001mm - Positioning accuracy : 0.003 or less ● Z-axis - Max. stroke : 32.2mm - Moving resolution : 0.00005mm - Repeatability accuracy : 0.001mm - Max. blade size : 58 ● -axis - Max. rotating angle : 380 deg. ● Applicable Tape Frame : 2-8-1 ● Utilities - Power supply : 200~240VAC10% 3-phase(50/60Hz) - Power consumption : 0.3~0.9kW - Air pressure : 0.5~0.8Mpa - Cutting water : 0.2~0.4Mpa 4.0L/min - Cooling water : 0.2~0.4Mpa 1.5L/min - Machine dimensions : 900×1050×1800구성및성능 Wafer 절단용 (Silicon GaAS GaP LiTaO3 etc.) Pattern 간격이 최서 선폭 250um 이상이 아닐 경우 장비담당자와 협의할 것.Wafer표면의 막이나 구조물이 Adhesion이 좋지 않을 경우 Cutting 작업 중 손실될 수 있으므로 공정 전 가능여부 장비담당자와 필의 협의 할 것.활용분야 Wafer 절단용 (Silicon GaAS GaP LiTaO3 etc.) Pattern 간격이 최서 선폭 250um 이상이 아닐 경우 장비담당자와 협의할 것.Wafer표면의 막이나 구조물이 Adhesion이 좋지 않을 경우 Cutting 작업 중 손실될 수 있으므로 공정 전 가능여부 장비담당자와 필의 협의 할 것. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/200808/.thumb/20080825101639.jpg |
| 장비위치주소 | 서울 관악구 대학동 서울대학교 산 56-1 서울대학교 104동 (반도체공동연구소) 1층 C-1-10 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2008-08-065116 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0009817 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |