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장비 및 시설 기본정보
촉매화학증착시스템(Processing Chamber)
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 에스엔텍 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2011-03-10 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국과학기술연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C503 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 본 장치는 저온에서 고속으로 박막 및 나노구조체를 성장시킬 수 있으며 최소 2 inch 면적에서 균일한 막 두께 및 표면 거칠기를 얻을 수 있는 성능을 가짐. 또한 공정 안정화 및 높은 공정 효율을 가짐. 최저 압력은 1XE-3 torr 샘플면적 2 inch 증착율 300 nm/min의 사양을 가지고 있음.실리콘 박막재료 및 나노구조체를 대면적으로 재현성 있게 합성하기 위한 장치로서 텅스텐 또는 탄탈 열선의 촉매작용을 통하여 원료가스를 빠르게 분해시킴으로써 비교적 저온에서 고속으로 성장시킬 수 있는 장치임 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201107/.thumb/20110715100024.jpg |
| 장비위치주소 | 서울 성북구 월곡2동 과학기술연구원 39-1번지 한국과학기술연구원 연구동(L1) 2층 L1204 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-07-146775 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0029449 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |