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원자층 증착장비

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보유기관명	한국과학기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C509
표준분류명
시설장비 설명	본 장비는 증착하고자하는 물질의 기체소스를 흘려주어서 self-limiting reaction에 의해 cyclic방식으로 원자층 단위로 고품질의 박막을 대면적으로 균일하게 증착 가능하게함. 본 장비의 구축을 통하여 신규 2차원 물질인 hBN과 MoS2를 원자층 단위로 고품질의 박막 증착을 하려고 한다. 특히, MoS2는 400도씨 이상의 온도에서 단결정의 고 품질의 박막을 얻을 수 있기에 본 장비의 450도까지의 공정온도는 적합하다. 그리고 hBN이나 MoS2 성장 공정시에 사용되는 전구체나 반응가스가 부식성이 강하기에 본 장비의 SUS계열의 챔버 내부 재질은 신규 2차원 물질의 대면적 성장을 위한 연구를 진행 할 수 있는 최적의 장비이다.
장비이미지코드	http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201511/2015111121629774.jpg
장비위치주소	한국과학기술원 E3-3
NFEC 등록번호	NFEC-2015-11-205947
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0059239
첨부파일

기업조회