| 시설장비 설명 |
특징 합금 박막 증착을 위한 physical vapor deposition system (혼합 스퍼터링 장비) 마그네트론 스퍼터링 원리 표적재료의 이온화를 증가시키기 위하여 판형 다이오드의 음극 후면에 마그네트론을 설치하여 전자가 표적재료 주위의 전기 및 자기장에 머무르게 하여 이온화를 계속하는 방식으로, 스퍼터링이 집중적으로 일어나 이온화를 유발하고, 이로 인해 피처 리물의 피복율이 크게 증가된다. 마그네트론 효과를 증가시키기 위하여 다양한 기하학적 배열로 설계되고 있다. 표적재료의 이온화를 증가시키기 위하여 판형 다이오드의 음극 후면에 마그네트론을 설치하여 전자가 표적재료 주위의 전기 및 자기장에 머무르게 하여 이온화를 하게 한 방식으로, 스퍼터링이 집중적으로 일어나 이온화를 유발하고, 이로 인해 피처 리물의 피복율이 크게 증가된다. 이 방법은 영구자석이 전기장과 결합한 전자장을 발생시키고 전자를 이동시킨다. 그러나 이온 집중이 플라즈마 환을 형성하여 음극마모가 심하고 표적재료가 많이 소모되는 단점이 있다. 원통형 마그네트론은 판형의 이런 단점을 해결하게 설계된 것으로 전자가 원통형 음극을 싸고 있는 플라즈마내에 잔류하게 하여 음극이 거의 균일하게 마모되도록 한다. |
