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장비 및 시설 기본정보
화합물 증착장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 시스넥스 |
| 모델명 | Marvel |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2005-12-14 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 경북대학교 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C508 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 특징 6” wafer 1200℃(MAX) 20~760torr Max power 30KW활용분야 화합물반도체 내 GaN AlGaN 등 박막증착장비 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)이란 금속 유기 원료를 사용해 기판 위에 박막을 형성시키는 화학증착법을 말합니다. 유기금속화합물은 금속원자와 탄소원자의 결합물을 말합니다. 불안정하고 분해되기 쉬운 유기금속화합물을 수소 등을 사용해 기판 위에 증기 상태로 내보내면 열분해 반응이 일어나면서 금속 상태의 결정이 형성된다. MOCVD는 가장 좋은 품질의 박막을 생산할 수 있는 방법으로 원료가 모두 기체 상태로 공급되므로 원료의 양을 비교적 쉽고 정확하게 조절할 수 있어 여러층의 박막을 형성할 수 있게 합니다. 또 일정 온도로 가열된 기판 외에 다른 온도 영역은 불필요하기 때문에 장치가 간단하고 대량 생산이 가능합니다. 이와 함께 고순도로 정제된 원료를 사용해 박막 특성을 우수하게 만들 수 있고 많은 양의 이송 기체를 사용하므로 불순물 주입이 적다... |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201404/.thumb/2014040413577168.jpg |
| 장비위치주소 | 대구 북구 산격3동 경북대학교 1370 경북대학교 반도체연구동 지하1층 B104 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2007-10-018861 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0015678 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |