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장비 및 시설 기본정보
고온 열처리 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 아전가열산업 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2019-12-19 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전기연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C527 |
| 표준분류명 | 기타 |
| 시설장비 설명 | 본 장비는 SiC 소자 제작을 위한 이온주입 후 활성화 열처리하는 용도로 사용된다. 특히 SiC p-type 도펀트의 전기적 활성화율을 높이고 6인치 웨이퍼 공정을 진행하기 위해서 반드시 필요한 장비이다. SiC 전력반도체의 대전력화와 고효율화를 위해서 6인치 SiC 웨이퍼 이온주입 후 열처리 공정이 반드시 필요하고 1800℃ 이상의 고온 열처리가 가능해야함. |
| 장비이미지코드 | https://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201912/20191224104840788.jpg |
| 장비위치주소 | 한국전기연구원 17연구동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2019-12-259756 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | https://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-202101068318 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |