| 시설장비 설명 |
이 장비는 전기회로 상의 직류 전류와 전압과의 전기적인 I-V 특성을 측정하고자 하는 장비로서 초저전류와 전압을 공급함과 동시에 측정이 가능한 장비이다. 본 장비의 주 용도로는 반도체의 I-V 특성과 유전 박막의 표면저항이나 체적저항 그리고 TFT-LCD나 유기EL 등 각종 Display와 Capacitor, Diode, Resistor, Solar cell,Bio sensor의 특성 등 각종 전자 부품의 전기적인 특성을 측정하는 장비이다. 주요 사양으로는 100fA에서 1.5A까지의 DC 전류공급과 1fA의 측정 분해능, 200mV에 200V까지의 DC 전압공급과 5μV의 측정 분해능을 가지며 정확도는 최소 0.1%이다. 또한 반도체의 wafer상태 및 디바이스 상태에서의 전기적 물성 및 특성을 특정하는 고정밀급 반도체용 계측장비로서 반도체의 동작 전압측정, 동작 전류측정,누설전류측정, 브레이크 다운 전압측정, 전도도 및 저항측정, 디바이스 수명예측, Hot Carrier Test 등 다양한 파라메터를 측정 할 수 있습니다. 부가적인 기능으로 반도체의 특성 측정에 관련된 외부기기 즉, Probe Station, LCR 미터, Pulse Generator, 스위칭 시스템 등을 제어하는 기능이 있어 모든 반도체 소자 개발 및 분석이 가능하게 합니다. |
