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장비 및 시설 기본정보
나노촉매 표면 개질용 열 원자층증착 시스템
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 참트론 |
| 모델명 | CH-TALD80 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2013-03-15 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국화학연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C509 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 기능.................. 1. ALD 기술은 반응 원료를 분리하여 공급하는 방식으로 한 cycle 증착 시에 표면 반응에 의해 1ML(monolayer) 이하의 단분자층 성장이 가능한 장비 2. Gas가pulse 형태로 공급되고 유동상태에서purge gas에 의해 서로 격리 되어있어 원자층 촉매 코팅에 매우 유리한 장비임 |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201509/2015093094132102.jpg |
| 장비위치주소 | 한국화학연구원 3연구동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2013-04-177479 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0038557 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |