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급속열처리기Ⅱ

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보유기관명	한국광기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C601
표준분류명
시설장비 설명	금속 전극 열처리 및 p-GaN activation 장치 적용가능 기판크기 - up to 8인치 - 4인치 Susceptor (2인치 recess) 분위기 가스 : N2 Ar O2 Heat Source - Halogen 램프 - Cross type (상부 28line 하부 28line) 온도 범위 - up to 1250도 (오차 2도) - Max. Heat up rate : 175도/sec 온도 control : Thermo couple & Pyrometerㅇ적용가능 wafer size : 10mm×10mm ∼ 6인치 wafer ㅇAmbient Gas : O2 N2 Argon Mixing Gas ㅇMaximum Temperature : ∼ 800℃ ㅇRamping time : ∼ 100℃/sec ㅇType : Hot-wall type ㅇ열처리 능력 : 1wafer/batch ㅇTemperature Monitoring - K-type thermocouple - Pyrometer급속 열처리 장치
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110125151514.jpg
장비위치주소	광주 북구 월출동 971-35 한국광기술원 실험동 1층 메인클린룸 Dry
NFEC 등록번호	NFEC-2010-12-126455
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0019886
첨부파일

기업조회