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장비 및 시설 기본정보
전기화학적 정전용량-전압 프로파일러
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Accent Optical Technologies |
| 모델명 | ECVPro |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2005-09-22 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국광기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C514 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 모델명 ECV-Pro 제조업체 Accent Oprical Technologies (영국) 도입 일자 2003-01-03 장비용도 운반자 농도의 분포 측정 활용분야 건조 및 폭 밀도등의 셋팅 구성 측정 물질 : II-VI III-V (InP GaN) compounds and Silicon 운반자 농도 측정 범위 : 1013 ～1020 cm-3 식각 깊이 영역 : 005 ～50 μm 최소 식각 정도: 1 nm 시료 크기 : 12 x 12 mm ～지름 150 mm (수동 wafer mapping 가능) 식각 중 표면 관찰 가능 운반자 진동수 : 0.3 kHz ～25 kHz Bias 전압 : ± 10 V 광원 : Mercury-Xenon lamp Blast : 40 V AC장비의 구성과 성능은 다음과 같음. Bias 전압 : ± 10 V 광원 : Mercury-Xenon lamp Blast : 40 V AC 운반자 농도 측정 범위 : 10^13 ～10^20 cm-3 식각 깊이 영역 : 005 ～50 μm 최소 식각 정도: 1 nm활용분야 측정 물질 : II-VI III-V (InP GaN) compounds and Silicon 운반자 농도 측정 범위 : 10^13 ～10^20 cm-3 식각 깊이 영역 : 005 ～50 μm 시료 크기 : 12 x 12 mm ～지름 150 mm (수동 wafer mapping 가능) 식각 중 표면 관찰 가능 운반자 진동수 : 0.3 kHz ～25 kHz |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201509/.thumb/2015091715846878.png |
| 장비위치주소 | 광주광역시 북구 첨단벤처로108번길 9 (월출동) 한국광기술원 실험동 1층 물성분석실 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2010-12-120303 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0019512 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |