| 보유기관명 |
포항공과대학교 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C506 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
특징 초고진공하에서 Ar 기체를 주입하고 DC 전압을 인가하면 플라즈마가 형성되는데 이온화된 Ar 원자가 가속되어 고순도의 Target과 충돌하여 Target 형성 원자가 분리되어 Wafer에 증착됨으로서 박막이 증착됨구성및성능
Base Pressure ＜ 8E-9 Torr Leak rate ＜ 2.5E3 nTorr/min Al Depo Rate ＞ 10000Å/min Ti Depo Rate ＞ 1000 Å/min TiN Depo Rate ＞ 1500 Å/min Thickness Uniformity (3sigma) ＜ 5%활용분야 반도체 제조공정 중 배선용 Al 박막 Ti-silicide를 위한 Ti 박막 Barrier layer용 TiN 박막 등의 금속박막 증착에 사용, Wafer에 증착됨으로서 박막이 증착됨 |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/200908/.thumb/20090826140932.jpg |
| 장비위치주소 |
경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 포항공과대학교 나노기술집적센터 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2009-08-072318 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0013367 |
| 첨부파일 |
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