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장비 및 시설 기본정보

각분해능 X-선 광전자 분광기

장비 개요

기관명, 장비번호, 제작사, 모델명, 장비사양, 취득일자, 취득금액 순으로 구성된 표입니다.
기관명 ZEUS
장비번호
제작사 Thermo Electron
모델명 Parallel ARXPS System
장비사양
취득일자 2007-03-28
취득금액

보유기관 및 이용정보

보유기관명, 보유기관코드, 활용범위, 활용상태, 표준코드, 표준분류명, 시설장비 설명, 장비이미지코드, 장비위치주소, NFEC 등록번호, 예약방법, 카타로그 URL, 메뉴얼 URL, 원문 URL, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
보유기관명 한국기초과학지원연구원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드 B521
표준분류명
시설장비 설명 특징 ● X-선 광전자 분광기는 시료의 표면으로부터 100 Å(10층 이내의 단원자 층)의 깊이에 관한 정보를 얻을 수 있는 표면민감성 분석 장비임 ● 일정한 에너지를 가지는 X선(광자)을 시료에 쬐면 시료로부터 광전자 (photoelectron)들이 방출되는데 이 광전 자들의 운동 에너지를 측정하면 광전자를 시료로부터 방출하기 위해 필요한 에너지인 binding energy를 알 수 있음. ● 광전자를 방출하는 원자의 고유한 성질인 이 binding energy의 측정으로부터 원소의 정성 및 정량분석, 그리고 화학결합 상태 등을 분석하는 기법임. ● 현재까지 개발된 XPS 중 분해능, 감도가 가장 우수하며, 하전보정이 정확하여 반도체 소재, 박막, 금속, 화합물, 유리, 촉매, 고분자 및 최근 활발히 연구되고 있는 나노 소재에 이르는 다양한 시료의 표면에 대한 정성, 정량 및 화학 적 결합 상태 분석 등에 이용되며, 그 외에도 깊이 분석 및 표면 이미지 등에 관한 정보를 얻을 수 있어 표면과학 연구에 있어서 대단히 유용하게 사용되고 있음. ● 기존의 Depth-profile을 통한 박막의 깊이에 다른 조성연구와는 별도로 X선의 투과깊이 를 이용한 비파괴 Depth profiling기능인 각 분해의 기능까지 부과된 첨단 표면분석 장비임. 구성및성능 초고진공 : 5 x 10-10 mbar, μ-metal chamber 장착 · Hemispherical energy analyzer (High Resolution 0.45 eV) · Energy Source : monochromated Al-Kα 선 ·하전보정(charge compensation) : electron flood gun을 사용,mask를 사용하지 않고도 비전도성 물질의 결합에너지(binding energy)에 대한 정보를 정확히 얻을 수 있음 ·400 ~ 20μm까지 X-선의 조사 영역을 조절 가 능 ·Depth profiling, 각분해 XPS기능 ·10 nm 이하의 초박막에 관해서 비파괴로 화학적 성분분석이 가능 활용분야 반도체 소재, 초미세 박막, 금속 화합물, 유리, 촉매, 고분자 및 나노소재 등의 표면 및 계면 특성분석
장비이미지코드 http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201402/20140213161315259.jpg
장비위치주소 한국기초과학지원연구원 부산센터
NFEC 등록번호 NFEC-2007-04-056260
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-KBSI_BSC-00117
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, 주제어 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
주제어 (키워드)