광절연막 제거 장비
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 큐엠씨 |
모델명 | ELMS-1000 |
장비사양 | |
취득일자 | 2013-07-15 |
취득금액 |
보유기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C516 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 1. Laser Lift-Off (LLO) provides a way to separate the GaN layer from sapphire/SiC substrate. 2. GaN based LED dies can be debonded from the substrate and the energy density be chosen to meet the optimum debonding conditions.1. Material: GaN on Sapphire/SiC substrate etc 2. Full Automatic Operation System - Automatic wafer alignment laser beam focusing wafer loading/unloading System 3. Laser System - Type: 248nm KrF excimer laser (Cohearent 社) - Pulse energy: Max. >600mJ - Energy stability: 1%@2o 4. Working Stage System 1) X-Y axis: Up to 6 inch wafer 2) Z axis: 15mm or more 3) Theta(8) axis: 30 degrees or more 4) Flatness: < :t 10um in 6 inch area 5) Wafer chuck: Special vacuum chuck for uniform holding force across wafer 5. Beam Delivery System 1) Beam delivery support structure - Vibration isolating mounting platform for 3 axes stages and beam delivery optics 2) Purging system - N2 purged beam delivery system for best laser beam transmission and longer life time of optics 3) Beam size: Max. 3 x 3mm2 4) Inhomogeneity: <:t5%@2o 6. Vision System 1) Process monitoring camera: Zoom vision system Optical magnification CCD camera 2) Alignment and inspection camera: Monitoring system with energy meter on the wafer stage Beam profiler on mask수직형 LED 기술은 기존 일반형 제품 대비 방열특성을 개선하여 고출력/고휘도의 LED 제작을 사유 가능하게하는 기술이며 광절연막 제거장비(LLO)는 웨이퍼접합 (Wafer Bonding) 후 레이저 빔 소스를 이용하여 기판을 제거하는 장비이며 LED 제작의 핵심 장비임. |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201311/.thumb/20131120112320258.jpg |
장비위치주소 | 경북 경산시 대동 영남대학교 214-1번지 영남대학교 CRC 1층 클린룸 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2013-11-184015 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0041293 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |